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国内首套G4.5代高迁移率氧化物靶材交付给华星光电

近期,由先导薄膜材料(广东)有限公司研发生产的G4.5代线镧系稀土掺杂金属氧化物(Ln-IZO)靶材成功交付给华星光电,该靶材基于华南理工大学发明的薄膜晶体管用高迁移率稀土掺杂氧化物半导体材料,是新一代的TFT半导体沟道层材料,其先进的性能可满足未来超高清显示、柔性显示对沟道层材料的应用需求。 金属氧化物半导体因具备迁移率良好、稳定性高、均匀性高、制造成本低等优点,被认为是可能取代硅基薄膜晶体管的新一代沟道层半导体材料。 在平板显示领域,特别是在超高清,柔性显示以及印刷显示等新型显示技术方面具有巨大的应用潜力。 现阶段,IGZO材料作为最早被研究的金属氧化物半导体材料,在国际上已经被LG,SHARP,以及Apple等多家公司产品化。但是,现在IGZO的原始材料专利以及靶材供应均被日本和韩国公司掌握。 目前,在国内对金属氧化物半导体材料的基础研究相对较少,对高迁移率和高稳定性的氧化物半导体溅射靶材制造研究更少。在当前环境下,扭转靶材依赖进口的局面,开发具有自主知识产权可产业化的优良氧化物靶材是必然任务。 针对此现状,2019年,在广东省科技厅的组织下,特别得到广东省“电子信息关键材料”重点研发计划的支持,先导薄膜材料(广东)有限公司与华南理工大学、广州新视界光电科技有限公司、深圳市华星光电半导体显示技术有限公司、广东省半导体产业技术研究院联手组建了从基础研究到产品应用端的产学研用技术团队。 团队以华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室所开发的新型稀土掺杂金属氧化物靶材(Ln-IZO)技术为基础,以先导薄膜的靶材开发与量产制备技术为核心,结合材料基础研究、TFT器件工艺技术,开展了“薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用”项目。 经过反复研发测试,开发出此G4.5的Ln-IZO靶材,交付华星光电上线使用,此为该项目的第一个重要成果。Ln-IZO靶材摒弃传统基于IGZO的多元掺杂体系,采用In2O3或SnO2等高迁移率氧化物半导体作为基体材料,可有效替代非晶硅及多晶硅及IGZO材料。 在保证稳定性的同时,确保高迁移率的优势,可实现器件的高分辨率、高响应速度、低能耗、低噪音,有效突破TFT器件关键材料技术,改善知识产权被动局面。 先导薄膜材料(广东)有限公司作为项目牵头方,结合各单位特点,充分发挥各自的优势资源,在显示材料领域进行深度合作,在科技厅的支持下将继续完善自有知识产权的金属氧化物靶材量产化开发,为建设完整新型显示领域关键材料产业链添砖加瓦。 免责声明:本文来源于网络,仅代表作者个人观点,与中国触控显示行业协会无关,请读者仅作参考,欢迎知情人士提供更详细信息

浩通下有浩通(徐州)投资有限公司、徐州浩通新材料科技股份有限公司、徐州浩通水射流科技有限公司、浩通国际有限公司共4家公司,其中浩通国际有限公司为徐州浩通新材料科技股份有限公司的全资子公司,浩通总部位于徐州经济技术开发区刘荆路1号。 徐州浩通水射流科技有限公司专业从事水射流技术的研发,水射流设备的设计和制造,开发出高精度和高能量的全自动磨料悬浮液射流切割机,用于微型SD卡的切割,切割速度为300mm/s,加速度为3000mm/s,每小时产量可达3500UPH,该机是世界上切割速度和质量最高的半导体切割机。 浩通实施多元化经营战略,在稀贵金属再生资源回收、固体废弃物资源化无害化技术和水射流技术等多个领域广泛地开展业务,以科技创新和管理模式创新支持市场拓展,驱动企业持续健康发展。 目前,浩通已成为稀贵金属再生资源回收领域的龙头企业,并成为涉及多个领域的综合性科技企业。 浩通董事长夏军携全体员工衷心感谢关心支持公司发展的社会各界人士,为促进循环经济和再生资源产业发展,建设资源节约型和环境友好型和谐社会作出积极贡献。

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